外交部長林佳龍率團訪問波蘭，宣布台灣將與波蘭啟動功率氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）晶片技術合作計畫，深化雙邊半導體與高科技產業的鏈結。這項合作計畫將由工業技術研究院（Industrial Technology Research Institute, ITRI）與波蘭國家研究網路微電子與光電研究所（ŁRN-IMiF）共同執行，結合雙方研發能量與製造優勢拓展歐洲市場。
台波半導體韌性合作 打造技術與製造循環
本次台波合作屬於我國半導體韌性合作計畫首度落地波蘭，雙方代表處預計於近期簽署合作備忘錄。合作核心模式著重於台灣輸出研發與製造技術，由波蘭推進在地終端應用驗證，後續產生的高階製造需求則回流至台灣晶片供應鏈，藉此建立互惠的產業循環。此外，雙方也將針對波蘭「TEEMA科技園區」等項目進行對接，為台灣科技業者進入中東歐市場鋪路。
訪團同時參訪了宏碁（Acer）位於波蘭弗羅茨瓦夫（Wrocław）的運營據點。該廠區占地約2萬平方公尺，擁有近400名員工，是台資企業在歐洲供應鏈與保固維修服務的重要樞紐，展現出台灣資通訊產業以波蘭作為戰略據點、深化歐洲市場布局的實際運作模式。
產業意義
對台灣製造業與機械供應鏈而言，這項技術合作具有多重戰略價值：
- 拓展歐洲電動車與能源供應鏈：波蘭位處中東歐製造業核心區域，鄰近歐洲汽車製造重鎮。透過化合物半導體技術的合作，台灣廠商能更快切入歐洲電動車（EV）與再生能源設備的供應體系。
- 帶動高階封測與代工訂單：「應用落地、製造回流」的架構，意味著歐洲市場驗證成功的產品，最終依然需要台灣成熟的半導體晶圓代工與先進封裝測試（OSAT）產能支援，鞏固台灣製造的核心地位。
- 提升工業裝備能量效率：隨著智慧工廠對高功率密度馬達驅動器與高效率電源模組需求遞增，國產化第三代半導體技術的推廣，有助於台灣自動化設備與工具機零組件提升能效優勢。
技術解析
本案焦點「氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）」屬於第三代半導體（又稱寬禁帶半導體）。與傳統矽（Si）基半導體相比，氮化鎵具備高擊穿電場、高熱導率以及高開關頻率等物理特性。
在工業自動化與智慧製造現場，氮化鎵晶片的主要應用與運作方式如下：
- 高效率電源轉換與逆變器：氮化鎵能在高電壓、高頻率下運作且功率耗損極低，可大幅縮減電源模組的體積與重量。在工廠的伺服驅動器（Servo Drive）與伺服馬達中，採用氮化鎵組件可減少運轉廢熱，提升系統能效。
- 自主移動機器人（Autonomous Mobile Robot, AMR）無線快充：工廠運送零組件的 AMR 與自動導引車（AGV），需要極高的充電效率以減少停機時間。氮化鎵技術可應用於高功率無線充電與快充系統，實現小體積、大功率的能量傳輸。
- 車用電子與高功率設備：在電動車的車載充電器（OBC）及直流對直流（DC-DC）轉換器中，氮化鎵元件可有效提高散熱效率與電能轉換率，進而拉長車輛續航里程並降低整體散熱模組成本。
常見問題
台灣與波蘭的半導體合作主要由哪些單位執行？
該計畫由台灣的工業技術研究院（ITRI）與波蘭國家研究網路微電子與光電研究所（ŁRN-IMiF）共同執行。
什麼是氮化鎵（GaN）？它在工業製造中有何優勢？
氮化鎵屬於第三代半導體，具備高電壓承受力與低能量耗損特性，能顯著縮小電源模組體積並提升馬達驅動與快充系統的能量效率。
這項合作模式如何回饋台灣在地供應鏈？
合作採取「台灣技術輸出、波蘭應用落地、製造需求回流台灣」模式，於歐洲驗證終端應用後，高階晶片製造與封測訂單將回流至台灣業者。